Создание p–n-переходов и омических контактов в GaAs методом лазерной твердофазной диффузии

Приводятся результаты экспериментальных исследований электрофизических свойств p—n-переходов и омических контактов, сформированных методом лазерной твердофазной диффузии соответственно цинка и контактной группы элементов Au—Au:Ge в пластину n-GaAs. Облучение осуществлялось непрерывным СО₂-лазером. Сопротивление p–n-переходов при нулевом смещении составляет ~10¹⁰ Ом, а токи утечки при обратном смещении 8 В не превышают 1 нА. Характеристическое сопротивление невыпрямляющих контактов равно 5·10^–7 Ом·см².