Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 11, страницы 1013–1017 (Mi qe2918)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Активные среды

Теоретический поиск оптимальных параметров накачки для наблюдения усиления спонтанного излучения c λ = 41.8 нм на переходе XeIX в плазме

Е. П. Ивановаa, А. Л. Ивановb

a Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Москва
b ООО "Авеста-проект", Московская обл., г. Троицк
Аннотация: С использованием столкновительно-радиационной модели выполнен атомно-кинетический расчет коэффициентов усиления на переходах Pd-подобного ксенона с длиной волны 41.8 нм в плазме, образованной в результате взаимодействия фемтосекундного лазерного импульса с газообразным ксеноном. Проведено сопоставление коэффициентов усиления g(z, τ) усредненных по пространственной и временной координатам, с известными коэффициентами усиления, экспериментально измеренными в Xe8+. Показано, что усиление происходит в режиме ионизации рабочих ионов, а насыщение интенсивности выходящего излучения зависит от времени трансформации Xe8+. в более высокоионизованные ионы. Выполненное теоретическое исследование позволяет определить оптимальные параметры накачки, при которых произведение коэффициента усиления g на длину активной среды L оказывается порядка 20, что превышает экспериментальные значения gL.
Поступила в редакцию: 25.12.2003
Исправленный вариант: 19.05.2004
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2004, Volume 34, Issue 11, Pages 1013–1017
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2004v034n11ABEH002918
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Vc, 52.50.Jm


Образец цитирования: Е. П. Иванова, А. Л. Иванов, “Теоретический поиск оптимальных параметров накачки для наблюдения усиления спонтанного излучения c λ = 41.8 нм на переходе XeIX в плазме”, Квантовая электроника, 34:11 (2004), 1013–1017 [Quantum Electron., 34:11 (2004), 1013–1017]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2918
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i11/p1013
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:140
    PDF полного текста:84
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024