М. А. Черников, А. Е. Сотников, О. А. Рябушкин, П. А. Трубенко, И. Берищев, А. Овчинников, “Фотоотражение полупроводниковой лазерной структуры при локальной оптической накачке”, Квантовая электроника, 34:9 (2004), 875–877 [Quantum Electron., 34:9 (2004), 875

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 9, страницы 875–877 (Mi qe2885)

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Фотоотражение полупроводниковой лазерной структуры при локальной оптической накачке

М. А. Черников^a, А. Е. Сотников^a, О. А. Рябушкин^b, П. А. Трубенко^c, И. Берищев^c, А. Овчинников^c

^a НТО "ИРЭ — Полюс", г. Фрязино, Московской обл.
^b Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
^c IPG Photonics Corporation, USA

PDF полного текста (133 kB) Список цитирования (2)

Аннотация: Лазерная AlGaAs/GaAs-гетероструктура с InGaAs-квантовой ямой исследуется бесконтактным методом фотоотражения при локальной оптической накачке. В отличие от традиционного метода фотоотражения области на поверхности образца, освещаемые зондирующим светом и светом накачки, пространственно разнесены. Метод позволяет эффективно разделять сигналы фотолюминесценции и фотоотражения и даëт возможность построить трëхмерное распределение энергетической зонной диаграммы лазерной структуры.

Поступила в редакцию: 25.02.2004
Исправленный вариант: 01.07.2004

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2004, Volume 34, Issue 9, Pages 875–877
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2004v034n09ABEH002885

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 42.62.Fi, 78.40.-q

Образец цитирования: М. А. Черников, А. Е. Сотников, О. А. Рябушкин, П. А. Трубенко, И. Берищев, А. Овчинников, “Фотоотражение полупроводниковой лазерной структуры при локальной оптической накачке”, Квантовая электроника, 34:9 (2004), 875–877 [Quantum Electron., 34:9 (2004), 875–877]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe2885

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i9/p875

Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	152
PDF полного текста:	80
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы