|
Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 7, страницы 617–622
(Mi qe2812)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Лазеры, активные среды лазеров
Ап-конверсия и перенос энергии возбуждения примесных ионов в кристаллах Y2SiO5:Pr3+, Lu2SiO5:Pr3+ и Gd2SiO5:Pr3+
Н. В. Знаменскийa, Э. А. Маныкинa, Ю. В. Орловa, Е. А. Петренкоa, Т. Г. Юкинаa, Ю. В. Малюкинb, П. Н. Жмуринb, А. Н. Лебеденкоb, А. А. Масаловb a Российский научный центр "Курчатовский институт", г. Москва
b Институт монокристаллов НАН Украины, г. Харьков
Аннотация:
При нерезонансной лазерной накачке с определенной плотностью мощности в кристаллах Y2SiO5:Pr3+, Lu2SiO5:Pr3+ и Gd2SiO5:Pr3+ обнаружена антистоксова флуоресценция с уровня 3P0 примесных ионов. Интегральная интенсивность антистоксовой 3P0-флуоресценции нелинейно зависит от плотности мощности излучения накачки. При изменении атомной концентрации примесных ионов (0.3%, 0.6% и 1.8%) имеет место насыщение интенсивности 3P0-флуоресценции, которое связано с концентрационным тушением 1D2-терма примесных ионов Pr3+. Антистоксова 3P0-флуоресценция и тушение 1D2-терма являются следствием кросс-релаксации энергии электронных возбуждений термов примесных ионов Pr3+.
Поступила в редакцию: 01.12.2003 Исправленный вариант: 10.03.2004
Образец цитирования:
Н. В. Знаменский, Э. А. Маныкин, Ю. В. Орлов, Е. А. Петренко, Т. Г. Юкина, Ю. В. Малюкин, П. Н. Жмурин, А. Н. Лебеденко, А. А. Масалов, “Ап-конверсия и перенос энергии возбуждения примесных ионов в кристаллах Y2SiO5:Pr3+, Lu2SiO5:Pr3+ и Gd2SiO5:Pr3+”, Квантовая электроника, 34:7 (2004), 617–622 [Quantum Electron., 34:7 (2004), 617–622]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2812 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i7/p617
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 202 | PDF полного текста: | 226 | Первая страница: | 1 |
|