Аннотация:
При нерезонансной лазерной накачке с определенной плотностью мощности в кристаллах Y2SiO5:Pr3+, Lu2SiO5:Pr3+ и Gd2SiO5:Pr3+ обнаружена антистоксова флуоресценция с уровня 3P0 примесных ионов. Интегральная интенсивность антистоксовой 3P0-флуоресценции нелинейно зависит от плотности мощности излучения накачки. При изменении атомной концентрации примесных ионов (0.3%, 0.6% и 1.8%) имеет место насыщение интенсивности 3P0-флуоресценции, которое связано с концентрационным тушением 1D2-терма примесных ионов Pr3+. Антистоксова 3P0-флуоресценция и тушение 1D2-терма являются следствием кросс-релаксации энергии электронных возбуждений термов примесных ионов Pr3+.
Поступила в редакцию: 01.12.2003 Исправленный вариант: 10.03.2004
Образец цитирования:
Н. В. Знаменский, Э. А. Маныкин, Ю. В. Орлов, Е. А. Петренко, Т. Г. Юкина, Ю. В. Малюкин, П. Н. Жмурин, А. Н. Лебеденко, А. А. Масалов, “Ап-конверсия и перенос энергии возбуждения примесных ионов в кристаллах Y2SiO5:Pr3+, Lu2SiO5:Pr3+ и Gd2SiO5:Pr3+”, Квантовая электроника, 34:7 (2004), 617–622 [Quantum Electron., 34:7 (2004), 617–622]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2812
https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i7/p617
Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
Nadiia Rebrova, Patrycja Zdeb, Przemysław J. Dereń, J. Phys. Chem. C, 128:22 (2024), 9090
Nikifor Rakov, Glauco S. Maciel, Mufei Xiao, Journal of Luminescence, 252 (2022), 119365
Yanhua Zong, Guangjun Zhao, Chengfen Yan, Xiaodong Xu, Liangbi Su, Jun Xu, Journal of Crystal Growth, 294:2 (2006), 416