Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 12, страницы 1173–1176 (Mi qe2793)  
Нелинейно-оптические явления

Эффект самоотражения в полупроводниках в двухимпульсном режиме

П. И. Хаджи, Л. Ю. Надькин

Приднестровский государственный университет, физико-математический факультет, г. Тирасполь
PDF полного текста (127 kB)
Аннотация: Изучены особенности отражения от торца полубесконечного полупроводника в двухимпульсном режиме. Функции отражения имеют сложное многозначное поведение в зависимости от амплитуд полей падающих импульсов. Предсказана возможность полного просветления среды для поля в области М-полосы.
Поступила в редакцию: 09.07.2004
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2004, Volume 34, Issue 12, Pages 1173–1176
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2004v034n12ABEH002793
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.50.Md, 42.60.Gd, 42.65.Re


Образец цитирования: П. И. Хаджи, Л. Ю. Надькин, “Эффект самоотражения в полупроводниках в двухимпульсном режиме”, Квантовая электроника, 34:12 (2004), 1173–1176 [Quantum Electron., 34:12 (2004), 1173–1176]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2793
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i12/p1173
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024