Н. И. Жаворонков, В. П. Михайлов, Н. В. Кулешов, Б. И. Минков, А. С. Автух, “Насыщение поглощения кристаллов силикатов, активированных Cr4+, и пассивные лазерные затворы на их основе”, Квантовая электроника, 22:1 (1995), 37–40 [Quantum Electron., 25:1 (1995), 31

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 1995, том 22, номер 1, страницы 37–40 (Mi qe279)

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Активные среды

Насыщение поглощения кристаллов силикатов, активированных Cr⁴⁺, и пассивные лазерные затворы на их основе

Н. И. Жаворонков^a, В. П. Михайлов^a, Н. В. Кулешов^a, Б. И. Минков^b, А. С. Автух^a

^a Международный лазерный центр при Белорусском национальном техническом университете, г. Минск
^b Институт прикладных физических проблем им. А. Н. Севченко Белорусского государственного университета, г. Минск

PDF полного текста (190 kB) Список цитирования (8)

Аннотация: Исследовано насыщение поглощения активированных Cr⁴⁺ силикатов Mg₂SiO₄ и Y₂SiO₅. Расcчитаны сечения поглощения из основного (³A₂(³F)) и возбужденного (³T₂(³F)) состояний на длине волны 694 нм. Реализован режим модулированной добротности в лазере на рубине с использованием пассивных затворов на кристаллах Mg₂SiO₄:Cr⁴⁺ и Y₂SiO₅:Cr⁴⁺. Длительность импульсов излучения τ = 100 нс, энергия E = 0.24 Дж.

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1995, Volume 25, Issue 1, Pages 31–33
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1995v025n01ABEH000279

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 42.60.Gd

Образец цитирования: Н. И. Жаворонков, В. П. Михайлов, Н. В. Кулешов, Б. И. Минков, А. С. Автух, “Насыщение поглощения кристаллов силикатов, активированных Cr⁴⁺, и пассивные лазерные затворы на их основе”, Квантовая электроника, 22:1 (1995), 37–40 [Quantum Electron., 25:1 (1995), 31–33]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe279

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v22/i1/p37

Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы