Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 6, страницы 569–571 (Mi qe2775)  

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 7 статьях)

Нелинейно-оптические явления

О природе лазерных поляритонных треков в мыльных пленках

А. В. Старцев, Ю. Ю. Стойлов

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Представлены результаты исследований узких лазерных треков в мыльных пленках с расходимостью меньше дифракционной и предложен механизм образования узких каналов (пространственных поляритонных солитонов) на основе лазерного диэлектрофореза в пленках.
Поступила в редакцию: 09.12.2003
Исправленный вариант: 17.03.2004
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2004, Volume 34, Issue 6, Pages 569–571
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2004v034n06ABEH002775
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.60.Jf, 71.36.+c, 68.15.+e


Образец цитирования: А. В. Старцев, Ю. Ю. Стойлов, “О природе лазерных поляритонных треков в мыльных пленках”, Квантовая электроника, 34:6 (2004), 569–571 [Quantum Electron., 34:6 (2004), 569–571]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2775
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i6/p569
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024