Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 12, страницы 1138–1142 (Mi qe2751)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Лазеры

Применение лазера на центрах окраски в кристалле LiF для накачки активной среды YAG:Yb

Т. Т. Басиевa, Н. Е. Быковскийb, В. А. Конюшкинa, Ю. В. Сенатскийb

a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Для накачки Yb:YAG-лазера c 20%-ной концентрацией активатора применен лазер на центрах окраски LiF:F2+, излучавший в спектральном диапазоне 0.89–0.95 мкм. В малых объемах оптически плотной активной среды YAG:Yb удалось перевести на метастабильный уровень иттербия 2F5/2 до 10% от общего числа ионов активатора, что соответствует запасенной в среде плотности энергии 30 Дж/см3. Получена генерация наносекундных импульсов на переходах между штарковскими компонентами уровней 2F5/2 и 2F7/2 ионов Yb3+ на длинах волн около 1.03 и 1.05 мкм. Обсуждается возможность применения кристаллов и керамики YAG:Yb в качестве активной среды мощного лазера-драйвера для экспериментов по лазерному термоядерному синтезу.
Поступила в редакцию: 26.04.2004
Исправленный вариант: 12.07.2004
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2004, Volume 34, Issue 12, Pages 1138–1142
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2004v034n12ABEH002751
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh


Образец цитирования: Т. Т. Басиев, Н. Е. Быковский, В. А. Конюшкин, Ю. В. Сенатский, “Применение лазера на центрах окраски в кристалле LiF для накачки активной среды YAG:Yb”, Квантовая электроника, 34:12 (2004), 1138–1142 [Quantum Electron., 34:12 (2004), 1138–1142]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2751
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i12/p1138
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:213
    PDF полного текста:154
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024