|
Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 12, страницы 1138–1142
(Mi qe2751)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Лазеры
Применение лазера на центрах окраски в кристалле LiF для накачки активной среды YAG:Yb
Т. Т. Басиевa, Н. Е. Быковскийb, В. А. Конюшкинa, Ю. В. Сенатскийb a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация:
Для накачки Yb:YAG-лазера c 20%-ной концентрацией активатора применен лазер на центрах окраски LiF:F2+, излучавший в спектральном диапазоне 0.89–0.95 мкм. В малых объемах оптически плотной активной среды YAG:Yb удалось перевести на метастабильный уровень иттербия 2F5/2 до 10% от общего числа ионов активатора, что соответствует запасенной в среде плотности энергии 30 Дж/см3. Получена генерация наносекундных импульсов на переходах между штарковскими компонентами уровней 2F5/2 и 2F7/2 ионов Yb3+ на длинах волн около 1.03 и 1.05 мкм. Обсуждается возможность применения кристаллов и керамики YAG:Yb в качестве активной среды мощного лазера-драйвера для экспериментов по лазерному термоядерному синтезу.
Поступила в редакцию: 26.04.2004 Исправленный вариант: 12.07.2004
Образец цитирования:
Т. Т. Басиев, Н. Е. Быковский, В. А. Конюшкин, Ю. В. Сенатский, “Применение лазера на центрах окраски в кристалле LiF для накачки активной среды YAG:Yb”, Квантовая электроника, 34:12 (2004), 1138–1142 [Quantum Electron., 34:12 (2004), 1138–1142]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2751 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i12/p1138
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 213 | PDF полного текста: | 154 | Первая страница: | 1 |
|