|
Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 4, страницы 310–314
(Mi qe2672)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
Лазеры
Цельноволоконный эрбиевый лазер с диодной накачкой в режиме самомодуляции добротности
С. Х. Крус Висентеa, М. А. Мартинес Гамесa, А. В. Кирьяновb, Ю. О. Барменковa, М. В. Андресc a Centro de Investigaciones en Optica A. C., Mexico
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
c Departamento de Fisica Aplicada – ICMUV, Universidad de Valencia, Spain
Аннотация:
Создан и исследован волоконный эрбиевый лазер с диодной накачкой, работающий в режиме самомодуляции добротности. Лазер реализован в цельноволоконной конфигурации, включающей кусок активного высококонцентрированного эрбиевого волокна и два зеркала в виде волоконных брэгговских решеток, и не требует дополнительных внутрирезонаторных элементов для получения режима коротких импульсов. Анализ работы лазера позволяет заключить, что наиболее вероятным механизмом пассивной модуляции добротности резонатора является поглощение из возбужденного состояния в эрбии, приводящее к термоиндуцированному нелинейному изменению показателя преломления в эрбиевом активном волокне.
Поступила в редакцию: 22.10.2003 Исправленный вариант: 15.01.2004
Образец цитирования:
С. Х. Крус Висенте, М. А. Мартинес Гамес, А. В. Кирьянов, Ю. О. Барменков, М. В. Андрес, “Цельноволоконный эрбиевый лазер с диодной накачкой в режиме самомодуляции добротности”, Квантовая электроника, 34:4 (2004), 310–314 [Quantum Electron., 34:4 (2004), 310–314]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2672 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i4/p310
|
|