Н. Н. Ильичев, В. В. Туморин, “Использование эффекта Тальбота для определения соотношения амплитудной и фазовой составляющих решетки инверсной населенности в кристалле ИАГ:Nd при ламповой накачке”, Квантовая электроника, 34:3 (2004), 283–288 [Quantum Electron., 34:3 (2004), 283

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2004, том 34, номер 3, страницы 283–288 (Mi qe2628)

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Использование эффекта Тальбота для определения соотношения амплитудной и фазовой составляющих решетки инверсной населенности в кристалле ИАГ:Nd при ламповой накачке

Н. Н. Ильичев, В. В. Туморин

Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

PDF полного текста (273 kB)

Аннотация: На основе эффекта Тальбота разработана методика определения соотношения амплитудной и фазовой составляющих решеток инверсной населенности в насыщенных лазерных средах. Проведенные по этой методике эксперименты показали преимущественно амплитудный характер решеток инверсной населенности в ИАГ:Nd с отношением фазовой составляющей к амплитудной не более 0.3 в условиях эксперимента.

Поступила в редакцию: 27.06.2003
Исправленный вариант: 20.10.2003

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2004, Volume 34, Issue 3, Pages 283–288
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2004v034n03ABEH002628

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.55.Px, 42.60.Jf

Образец цитирования: Н. Н. Ильичев, В. В. Туморин, “Использование эффекта Тальбота для определения соотношения амплитудной и фазовой составляющих решетки инверсной населенности в кристалле ИАГ:Nd при ламповой накачке”, Квантовая электроника, 34:3 (2004), 283–288 [Quantum Electron., 34:3 (2004), 283–288]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe2628

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v34/i3/p283

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы