А. Н. Жерихин, А. И. Худобенко, Р. Т. Вилльямс, Д. Вилкинсон, К. Б. Усер, Г. Хионг, В. В. Воронов, “Лазерное напыление пленок ZnO на кремниевые и сапфировые подложки”, Квантовая электроника, 33:11 (2003), 975–980 [Quantum Electron., 33:11 (2003), 975

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 11, страницы 975–980 (Mi qe2533)

Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Лазерное напыление пленок ZnO на кремниевые и сапфировые подложки

А. Н. Жерихин^a, А. И. Худобенко^a, Р. Т. Вилльямс^b, Д. Вилкинсон^b, К. Б. Усер^b, Г. Хионг^b, В. В. Воронов^c

^a Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, г. Троицк, Московская обл.
^b Department of Physics, Wake Forest University, USA
^c Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

PDF полного текста (174 kB) Список цитирования (15)

Аннотация: Исследовано лазерное напыление пленок оксида цинка. Для предотвращения попадания на пленку микрочастиц, возникающих при лазерной абляции мишени, использовался промежуточный экран. Изучено влияние условий напыления на морфологию пленки, ее электрические свойства и кристаллическую структуру. Показано, что методом лазерного напыления можно получать пленки с проводимостью обоих типов. Удельное сопротивление пленок составило 0.07 Ом·см для пленок с проводимостью n-типа и 0.08 Ом·см для пленок с проводимостью р-типа. Исследования фотолюминесценции пленок показали, что при интенсивности накачки свыше 6 МВт/см² в пленках генерируется вынужденное излучение.

Поступила в редакцию: 07.01.2003
Исправленный вариант: 27.02.2003

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2003, Volume 33, Issue 11, Pages 975–980
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2003v033n11ABEH002533

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 42.62.-b, 81.15.Fg

Образец цитирования: А. Н. Жерихин, А. И. Худобенко, Р. Т. Вилльямс, Д. Вилкинсон, К. Б. Усер, Г. Хионг, В. В. Воронов, “Лазерное напыление пленок ZnO на кремниевые и сапфировые подложки”, Квантовая электроника, 33:11 (2003), 975–980 [Quantum Electron., 33:11 (2003), 975–980]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe2533

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v33/i11/p975

Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы