Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 11, страницы 953–957 (Mi qe2530)  

Воздействие лазерного излучения на вещество. Лазерная плазма

Воздействие излучения пятой гармоники Nd:YAP-лазера (λ = 216 нм) на фоточувствительные пленки из германосиликатного стекла

С. В. Муравьевa, О. А. Мальшаковаa, К. М. Голантb, А. Н. Денисовb, В. М. Машинскийb, О. Д. Сажинb

a Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
Аннотация: Исследованы спектр поглощения, показатель преломления и рельеф поверхности пленки из германосиликатного стекла с бором при неразрушающем воздействии пятой гармоники излучения импульсно-периодического Nd:YAP-лазера с λ = 216 нм (энергия кванта 5.75 эВ). Показано, что облучение пленок приводит к существенному фоторефрактивному эффекту, несмотря на относительно небольшой коэффициент поглощения. Установлено, что при плотности энергии 100 мДж/см2 и выше заметный вклад в поглощение лазерного излучения на λ = 216 нм дают двухфотонные процессы. Дифракционная эффективность фотоиндуцированных фазовых решеток достигала ~7 × 10-3 при дозе облучения ~6 кДж/см2, что соответствует наведенному показателю преломления ~1.5 × 10-3. Бóльшая доза облучения приводит к появлению рельефа на поверхности пленки и снижению дифракционной эффективности фазовой решетки.
Поступила в редакцию: 20.01.2003
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2003, Volume 33, Issue 11, Pages 953–957
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2003v033n11ABEH002530
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.65.Ky, 42.70.Gi, 42.70.Nq


Образец цитирования: С. В. Муравьев, О. А. Мальшакова, К. М. Голант, А. Н. Денисов, В. М. Машинский, О. Д. Сажин, “Воздействие излучения пятой гармоники Nd:YAP-лазера (λ = 216 нм) на фоточувствительные пленки из германосиликатного стекла”, Квантовая электроника, 33:11 (2003), 953–957 [Quantum Electron., 33:11 (2003), 953–957]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2530
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v33/i11/p953
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:140
    PDF полного текста:95
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024