|
Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 10, страницы 894–896
(Mi qe2519)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Воздействие лазерного излучения на вещество
ИК многофотонная диссоциация трихлорсилана под действием импульсного излучения CO2- и NH3-лазеров
В. М. Апатин, В. Б. Лаптев, Е. А. Рябов Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Москва
Аннотация:
Исследована ИК многофотонная диссоциация молекул трихлорсилана (SiHCl3) под действием излучения импульсных CO2- и NH3-лазеров. Получены зависимости выхода диссоциации от частоты и плотности энергии лазерного излучения, а также от собственного давления SiHCl3. Обнаружено, что основными продуктами диссоциации трихлорсилана являются HCl и твердый осадок предположительно с общей химической формулой (SiCl2)n.
Поступила в редакцию: 16.09.2002 Исправленный вариант: 05.03.2003
Образец цитирования:
В. М. Апатин, В. Б. Лаптев, Е. А. Рябов, “ИК многофотонная диссоциация трихлорсилана под действием импульсного излучения CO2- и NH3-лазеров”, Квантовая электроника, 33:10 (2003), 894–896 [Quantum Electron., 33:10 (2003), 894–896]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2519 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v33/i10/p894
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 146 | PDF полного текста: | 68 | Первая страница: | 1 |
|