Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 10, страницы 861–868 (Mi qe2515)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Активные среды

Интерферометрические исследования электронных изменений показателя преломления лазерного кристалла Nd:YAG при интенсивной накачке

О. Л. Антипов, О. Н. Еремейкин, А. П. Савикин

Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: С помощью поляризационного интерферометра исследованы изменения показателя преломления лазерного кристалла Nd:YAG при его интенсивной накачке. Выявлена значительная электронная компонента изменений показателя преломления, связанная с возбуждением электронного уровня 4F3/2 ионов Nd3+ при накачке кристалла излучением импульсной диодной матрицы на длине волны 808 нм. При дополнительной накачке кристалла Nd:YAG лазерным пучком на длине волны 266 нм обнаружено существенное возрастание электронной компоненты показателя преломления, обусловленное заселением высокоэнергетичного уровня 2F(2)5/2. С помощью аналитических расчëтов показано, что коротковолновые 4f–5d-переходы вносят доминирующий вклад в поляризуемость возбуждëнных ионов Nd3+ на длине волны рабочего лазерного перехода 1064.2 нм.
Поступила в редакцию: 21.04.2003
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2003, Volume 33, Issue 10, Pages 861–868
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2003v033n10ABEH002515
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.70.Hj, 42.55.Rz, 42.25.Gy


Образец цитирования: О. Л. Антипов, О. Н. Еремейкин, А. П. Савикин, “Интерферометрические исследования электронных изменений показателя преломления лазерного кристалла Nd:YAG при интенсивной накачке”, Квантовая электроника, 33:10 (2003), 861–868 [Quantum Electron., 33:10 (2003), 861–868]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2515
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v33/i10/p861
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024