|
Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 9, страницы 831–832
(Mi qe2507)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 30 научных статьях (всего в 30 статьях)
Нелинейно-оптические явления и приборы
Оптический параметрический генератор на кристалле HgGa2S4
В. В. Бадиковa, А. К. Донb, К. В. Митинb, А. М. Серегинb, В. В. Синайскийb, Н. И. Щебетоваb a Кубанский государственный университет, Лаборатория новейших технологий, г. Краснодар
b Научно-производственное объединение "Астрофизика", г. Москва
Аннотация:
Впервые получена и исследована параметрическая генерация на кристалле HgGa2S4 с накачкой излучением наносекундного Nd:YAG-лазера. Проведенные эксперименты показали перспективность использования кристаллов HgGa2S4 для создания эффективных оптических параметрических генераторов в среднем ИК диапазоне.
Поступила в редакцию: 25.03.2003
Образец цитирования:
В. В. Бадиков, А. К. Дон, К. В. Митин, А. М. Серегин, В. В. Синайский, Н. И. Щебетова, “Оптический параметрический генератор на кристалле HgGa2S4”, Квантовая электроника, 33:9 (2003), 831–832 [Quantum Electron., 33:9 (2003), 831–832]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2507 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v33/i9/p831
|
|