Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 6, страницы 507–510 (Mi qe2445)  

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Лазеры

Эффективность накачки и время жизни уровня 4F3/2 иона неодима в жидкой лазерно-активной среде POCl3–SnCl4–UO22+:Nd3+ при импульсном облучении осколками деления на реакторе БАРС-6

В. И. Лапидус, А. Ф. Добровольский, П. П. Дьяченко, Е. А. Серёгина, Г. В. Тихонов

ФГУП «ГНЦ РФ – Физико-энергетический институт им. А. И. Лейпунского», г. Обнинск, Калужская обл.
Аннотация: Изложен метод и приведены результаты измерения эффективности накачки δ и времени жизни τ уровня 4F3/2 иона Nd3+ (λ = 1.05 мкм) в жидкой лазерно-активной среде POCl3–SnCl4–UO22+:Nd3+ при облучении на импульсном реакторе БАРС-6. Получены значения δ и τ, равные 1.9 ± 0.2% и 230 ± 30 мкс соответственно. Это подтверждает результаты проведенных ранее подпороговых экспериментов на нейтронном генераторе и свидетельствует о выполнимости необходимых условий для использования исследуемой жидкости в качестве активной среды оптического квантового усилителя с ядерной накачкой.
Поступила в редакцию: 27.12.2002
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2003, Volume 33, Issue 6, Pages 507–510
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2003v033n06ABEH002445
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Mv, 25.85.-w


Образец цитирования: В. И. Лапидус, А. Ф. Добровольский, П. П. Дьяченко, Е. А. Серёгина, Г. В. Тихонов, “Эффективность накачки и время жизни уровня 4F3/2 иона неодима в жидкой лазерно-активной среде POCl3–SnCl4–UO22+:Nd3+ при импульсном облучении осколками деления на реакторе БАРС-6”, Квантовая электроника, 33:6 (2003), 507–510 [Quantum Electron., 33:6 (2003), 507–510]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2445
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v33/i6/p507
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024