| Квантовая электроника |
|
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях) Лазеры Эффективность накачки и время жизни уровня 4F3/2 иона неодима в жидкой лазерно-активной среде POCl3–SnCl4–UO22+:Nd3+ при импульсном облучении осколками деления на реакторе БАРС-6 В. И. Лапидус, А. Ф. Добровольский, П. П. Дьяченко, Е. А. Серёгина, Г. В. Тихонов ФГУП «ГНЦ РФ – Физико-энергетический институт им. А. И. Лейпунского», г. Обнинск, Калужская обл.
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2003, Volume 33, Issue 6, Pages DOI: https://doi.org/10.1070/QE2003v033n06ABEH002445 
Реферативные базы данных:
 Образец цитирования: В. И. Лапидус, А. Ф. Добровольский, П. П. Дьяченко, Е. А. Серёгина, Г. В. Тихонов, “Эффективность накачки и время жизни уровня 4F3/2 иона неодима в жидкой лазерно-активной среде POCl3–SnCl4–UO22+:Nd3+ при импульсном облучении осколками деления на реакторе БАРС-6”, Квантовая электроника, 33:6 (2003), |
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Обратная связь: |
Пользовательское соглашение
|
Регистрация посетителей портала |
Логотипы |
|