Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 5, страницы 377–379 (Mi qe2421)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Письма

Возможно ли получение больших концентраций носителей в полупроводнике для наблюдения бозе-конденсата при комнатной температуре?

А. Н. Ораевский

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: Обсуждаются эксперименты, позволяющие получить высокие концентрации носителей (5×1019–1020 см-3) в полупроводнике с помощью фемтосекундных импульсов излучения. При таких концентрациях ожидается образование бозе-конденсата электронно-дырочной плазмы при комнатной температуре, сопровождающееся явлением сверхизлучения. Определена минимальная (пороговая) энергия, которая должна быть поглощена в элементарном акте для получения заданной концентрации свободных носителей. При значительной концентрации носителей в зоне проводимости арсенида галлия могут возникать носители с разным знаком массы, а следовательно, возможно эффективное кулоновское притяжение между носителями одной зоны, что нужно учитывать при образовании коррелированного состояния носителей.
Поступила в редакцию: 04.03.2003
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2003, Volume 33, Issue 5, Pages 377–379
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2003v033n05ABEH002421
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.50.Gy


Образец цитирования: А. Н. Ораевский, “Возможно ли получение больших концентраций носителей в полупроводнике для наблюдения бозе-конденсата при комнатной температуре?”, Квантовая электроника, 33:5 (2003), 377–379 [Quantum Electron., 33:5 (2003), 377–379]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2421
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v33/i5/p377
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:131
    PDF полного текста:71
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024