Механизм генерации стимулированного излучения на переходе 5s2 2D5/2–5p 2P3/2 Cd II при аномально низких температурах активной среды

Обсуждается механизм генерации стимулированного излучения на переходе атомарного иона Cd II с λ = 441.6 нм в припороговой температурной области, когда нельзя пренебречь вкладом распыления пленки чистого металлического кадмия заряженными продуктами ядерных реакций. На основании сравнения расчетных и экспериментальных данных получен суммарный усредненный коэффициент распыления кадмия продуктами ядерной реакции ³He(n,p)³T, равный 10.8 атом./акт.