Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 4, страницы 349–356 (Mi qe2407)  

Волноводы

К теории мод шепчущей галереи шарового слоя

Д. В. Гузатов, А. Н. Ораевский

Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
Аннотация: На основе аппроксимации функций Бесселя функциями Эйри построена теория мод шепчущей галереи (МШГ) диэлектрического шарового слоя. Исследованы зависимости собственных частот и эффективного объема моды от ее индекса и ширины слоя. Показано, что существует оптимальная толщина слоя, при которой интенсивности полей МШГ в шаровом слое более чем на порядок превосходят интенсивности полей МШГ сплошного шара.
Поступила в редакцию: 18.09.2002
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2003, Volume 33, Issue 4, Pages 349–356
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2003v033n04ABEH002407
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.25.-p, 42.82.Et


Образец цитирования: Д. В. Гузатов, А. Н. Ораевский, “К теории мод шепчущей галереи шарового слоя”, Квантовая электроника, 33:4 (2003), 349–356 [Quantum Electron., 33:4 (2003), 349–356]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2407
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v33/i4/p349
    Исправления
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024