Фотоиндуцированные электронные процессы в кремнии: влияние поперечного эффекта Дембера на нелинейное электроотражение

Теоретически исследованы электронные процессы, стимулированные последовательностью наносекундных лазерных импульсов в объеме слабо поглощающего полупроводника. Показано, что следствием этих процессов является поперечный эффект Дембера – возникновение радиального поля и разности потенциалов между освещенной и неосвещенной частями полупроводника. Установлено, что в кремнии поперечная демберовская разность потенциалов соизмерима с типичным поверхностным потенциалом и, следовательно, играет существенную роль в поверхностных нелинейно-оптических процессах.