|
Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 12, страницы 1105–1112
(Mi qe2353)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Специальный выпуск, посвященный 80-летию академика Н. Г. Басова
Когерентное электронно-дырочное состояние и фемтосекундное кооперативное излучение в объёмном GaAs
П. П. Васильевa, Х. Канb, Х. Отаb, Т. Хирумаb a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Central Research Laboratory, Hamamatsu Photonics K.K., Japan
Аннотация:
Обсуждаются условия получения коллективного когерентного электронно-дырочного состояния в полупроводниках. Приведены результаты экспериментального исследования режима кооперативной рекомбинации электронов и дырок высокой плотности (свыше 3 × 1018 см-3) в объёмном GaAs при комнатной температуре. Показано, что коллективное спаривание электронов и дырок и их конденсация вызывают образование короткоживущего когерентного электронно-дырочного БКШ-подобного состояния, излучательная рекомбинация которого наблюдается в виде мощных фемтосекундных оптических импульсов. Экспериментально продемонстрировано, что практически все электроны и дырки сконденсированы на дно зон и находятся в кооперативном состоянии. Измерено среднее время жизни этого состояния (около 300 фс), получены зависимости параметра порядка (энергетической щели в спектре электронов и дырок) и энергии Ферми когерентного электронно-дырочного БКШ-состояния от концентрации e-h-пар.
Поступила в редакцию: 28.06.2002
Образец цитирования:
П. П. Васильев, Х. Кан, Х. Ота, Т. Хирума, “Когерентное электронно-дырочное состояние и фемтосекундное кооперативное излучение в объёмном GaAs”, Квантовая электроника, 32:12 (2002), 1105–1112 [Quantum Electron., 32:12 (2002), 1105–1112]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2353 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i12/p1105
|
|