Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 9, страница 846 (Mi qe2304)  

Поправка

Поправка к статье: Особенности вынужденного рассеяния излучения XeCl-лазера в гептане

В. Я. Артюхов, Н. Г. Иванов, В. Ф. Лосев, С. В. Николаев, Ю. Н. Панченко
Тип публикации: Письмо в редакцию, исправление


Образец цитирования: В. Я. Артюхов, Н. Г. Иванов, В. Ф. Лосев, С. В. Николаев, Ю. Н. Панченко, “Поправка к статье: Особенности вынужденного рассеяния излучения XeCl-лазера в гептане”, Квантовая электроника, 32:9 (2002), 846
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2304
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i9/p846
    Исправление к статье
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:97
    PDF полного текста:57
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024