Спектроскопические исследования заселения высокоэнергетических уровней Nd3+-содержащих лазерных кристаллов при интенсивной накачке

Исследована люминесценция кристаллов Nd:YAG и Nd:YAP в диапазоне 380 – 650 нм при интенсивной накачке излучением лазерных диодов (λ_p = 808 нм) и пучками 2-й (532 нм), 3-й (354.7 нм) и 4-й (266 нм) гармоник импульсного Nd:YAG-лазера. Ряд сильных линий люминесценции идентифицирован c переходами с высокоэнергетического уровня ²F(2)_5/2. Выявлен канал эффективного заселения этого уровня при комбинированной накачке кристалла Nd:YAG излучением диодного лазера и пучком 4-й гармоники.