|
Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 8, страницы 659–662
(Mi qe2266)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Активные среды. Лазеры
Агрегатные центры окраски в примесных кристаллах LiF
Т. Т. Басиевa, А. Я. Карасикa, В. А. Конюшкинa, А. Г. Папашвилиa, К. К. Пуховa, И. В. Ермаковb, В. Геллерманнb a Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
b Department of Physics, University of Utah, USA
Аннотация:
Исследованы кристаллы LiF с центрами окраски (ЦО), имеющими бесфононную линию (БФЛ) поглощения и люминесценции с длиной волны λ = 1080 нм. При температуре T = 10 К ЦО имеют время затухания люминесценции 260–280 нс, полуширину БФЛ 4.7 см-1 и характеризуются слабым электрон-фононным взаимодействием (параметр Хуанга–Риса S < 0.11). Поляризационный анализ люминесценции показал, что дипольные моменты перехода ЦО ориентированы в направлении осей кристалла [100], [010] и [001]. Модель агрегатных F4-ЦО, имеющих пространственную структуру с тремя осями симметрии C2, может хорошо соответствовать исследованным ЦО.
Поступила в редакцию: 22.04.2002
Образец цитирования:
Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, В. А. Конюшкин, А. Г. Папашвили, К. К. Пухов, И. В. Ермаков, В. Геллерманн, “Агрегатные центры окраски в примесных кристаллах LiF”, Квантовая электроника, 32:8 (2002), 659–662 [Quantum Electron., 32:8 (2002), 659–662]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2266 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i8/p659
|
|