|
|
Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 6, страница 564
(Mi qe2245)
|
 |
|
 |
Поправки
Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский
Образец цитирования:
П. В. Булаев, О. И. Говорков, И. Д. Залевский, В. Г. Кригель, А. А. Мармалюк, Д. Б. Никитин, А. А. Падалица, А. В. Петровский, “Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов”, Квантовая электроника, 32:6 (2002), 564
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2245 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i6/p564
|
|
Обратная связь: