Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 6, страницы 516–522 (Mi qe2234)  

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Дрейф ионов в магнитном поле при совместном действии эффектов СИД и светового давления

А. И. Пархоменко

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Теоретически исследовано влияние магнитного поля на дрейф ионов в слабоионизованном газе под совместным действием светоиндуцированного дрейфа (СИД) и светового давления. Показано, что при наложении внешнего магнитного поля может возникать поперечная направлению распространения излучения компонента скорости дрейфа ионов под действием света. Установлено, что в достаточно сильных магнитных полях эффект светового давления доминирует над эффектом СИД, в то время как в слабых магнитных полях ситуация обратная. Продемонстрировано радикальное изменение зависимости скорости дрейфа ионов от расстройки частоты излучения в магнитном поле, обусловленное действием на ионы силы Лоренца. Предсказывается, что с ростом магнитного поля проекция скорости дрейфа ионов на направление излучения должна изменять свой знак и может наблюдаться аномальный СИД.
Поступила в редакцию: 13.11.2001
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, Volume 32, Issue 6, Pages 516–522
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2002v032n06ABEH002234
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 32.80.Lg, 42.50.Vk


Образец цитирования: А. И. Пархоменко, “Дрейф ионов в магнитном поле при совместном действии эффектов СИД и светового давления”, Квантовая электроника, 32:6 (2002), 516–522 [Quantum Electron., 32:6 (2002), 516–522]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2234
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i6/p516
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:219
    PDF полного текста:438
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024