|
Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 5, страницы 455–459
(Mi qe2218)
|
|
|
|
Управление параметрами лазерного излучения
Спектр антистоксова комбинационного ионного лазера в Λ-схемах с различными параметрами уровней
С. А. Бабин, С. И. Каблуков, С. М. Кобцев, В. В. Потапов, Д. В. Чуркин Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Исследована зависимость мощности генерации комбинационного лазера в режиме стоячей волны от частоты накачки, находящейся вблизи резонанса с ионными уровнями. Проведено сравнение спектра излучения в двух Λ-схемах ArII, различающихся временем жизни конечного уровня. В схеме с долгоживущим конечным уровнем при точном резонансе наблюдается резкий пик с амплитудой, превышающей в 1.5–2 раза амплитуду широкого контура, а в схеме с короткоживущим конечным уровнем спектральная особенность вблизи резонанса не наблюдается. Проведен анализ эффекта на основе модели, учитывающей кулоновское рассеяние ионов. Показано, что пик формируется из-за различного уширения беннетовских структур в распределении населенности рабочих уровней по скоростям. Во второй Λ-схеме вклад конечного уровня оказывается малым по амплитуде и резкий пик в спектре исчезает в соответствии с предсказаниями модели.
Поступила в редакцию: 20.02.2002
Образец цитирования:
С. А. Бабин, С. И. Каблуков, С. М. Кобцев, В. В. Потапов, Д. В. Чуркин, “Спектр антистоксова комбинационного ионного лазера в Λ-схемах с различными параметрами уровней”, Квантовая электроника, 32:5 (2002), 455–459 [Quantum Electron., 32:5 (2002), 455–459]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2218 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i5/p455
|
|