Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 5, страницы 449–454 (Mi qe2217)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Управление параметрами лазерного излучения

О влиянии молекулярных добавок на параметры излучения лазера на атомарных переходах ксенона

А. В. Феденев, В. Ф. Тарасенко, В. С. Скакун

Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск
Аннотация: Экспериментально исследован лазер на атомарных переходах ксенона при различных длительностях и мощностях накачки пучком электронов в широком диапазоне рабочих смесей и давлений, в том числе при добавках молекулярных газов. Показано, что максимальные удельные мощности генерации реализуются при больших удельных мощностях накачки (более 200 кВт·см-3·атм-1) и длительности импульса тока пучка десятки наносекунд в смесях Ar–Xe повышенного давления с добавками молекулярных газов (N2 и CO2). Получена удельная мощность излучения ~4 кВт/см3. При длительности импульса накачки сотни наносекунд – примерно 1 мкс наибольшие энергии излучения реализуются без молекулярных добавок при относительно малой плотности тока пучка (удельная мощность накачки ~10 кВт·см-3·атм-1). Однако на установках с удельными мощностями накачки более 40 кВт·см3·атм-1 при ограничении давления рабочей смеси прочностью лазерной камеры молекулярные добавки дают увеличение энергии излучения и КПД. На широкоапертурных установках с большими мощностями накачки молекулярные добавки позволяют улучшить распределение плотности мощности излучения по сечению лазерного пучка.
Поступила в редакцию: 19.02.2002
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, Volume 32, Issue 5, Pages 449–454
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2002v032n05ABEH002217
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Lh


Образец цитирования: А. В. Феденев, В. Ф. Тарасенко, В. С. Скакун, “О влиянии молекулярных добавок на параметры излучения лазера на атомарных переходах ксенона”, Квантовая электроника, 32:5 (2002), 449–454 [Quantum Electron., 32:5 (2002), 449–454]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2217
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i5/p449
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:186
    PDF полного текста:107
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024