|
Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 4, страницы 303–307
(Mi qe2188)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Лазеры
Исследование характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров в системе GaAs/AlGaAs
В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Р. В. Чернов ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
Аннотация:
Экспериментально и теоретически исследованы характеристики одночастотных лазеров. Показано, что модель выгорания спектрального провала с переменным временем внутризонной релаксации позволяет удовлетворительно описать спектральные и (совместно с моделью, учитывающей транспорт носителей) амплитудно-частотные характеристики лазера. При этом время захвата носителей в квантовую яму составляет 4 пс, а время выброса – 80 пс.
Поступила в редакцию: 20.02.2002
Образец цитирования:
В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Р. В. Чернов, “Исследование характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров в системе GaAs/AlGaAs”, Квантовая электроника, 32:4 (2002), 303–307 [Quantum Electron., 32:4 (2002), 303–307]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2188 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i4/p303
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 180 | PDF полного текста: | 99 | Первая страница: | 1 |
|