Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 4, страницы 289–293 (Mi qe2185)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Активные среды

Деионизация плазмы послесвечения за счет ускоренной амбиполярной диффузии

Е. Л. Латуш, О. О. Пруцаков, Г. Д. Чеботарев

Ростовский государственный университет, физический факультет
Аннотация: Математически смоделирована ускоренная амбиполярная диффузия частиц в послесвечении разрядов в смесях He–Cu и Ne–Cu. Расчеты показали, что при давлениях буферного газа 8 – 10 Тор и диаметрах трубки 4 – 10 мм при наложении на послесвечение греющего поля E ≈ 0.3 – 1.3 В/см за время ~100 мкс концентрация электронов уменьшается в 102–104 по сравнению с таковой в отсутствие греющего поля. Показано, что этот эффект наиболее выражен в гелии. Согласно расчетам, применение ускоренной амбиполярной диффузии в межимпульсный период позволит на 20 – 50% увеличить частоту следования импульсов в лазере на парах меди в трубках небольшого диаметра (4 – 6 мм) и при малых давлениях буферного газа (6 – 8 Тор). Создание избыточной предымпульсной концентрации метастабилей меди может быть предотвращено прерыванием подогрева плазмы за 3 – 6 мкс до начала следующего импульса возбуждения.
Поступила в редакцию: 08.11.2001
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, Volume 32, Issue 4, Pages 289–293
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2002v032n04ABEH002185
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 52.80.-s


Образец цитирования: Е. Л. Латуш, О. О. Пруцаков, Г. Д. Чеботарев, “Деионизация плазмы послесвечения за счет ускоренной амбиполярной диффузии”, Квантовая электроника, 32:4 (2002), 289–293 [Quantum Electron., 32:4 (2002), 289–293]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2185
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i4/p289
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024