|
Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 4, страницы 289–293
(Mi qe2185)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Активные среды
Деионизация плазмы послесвечения за счет ускоренной амбиполярной диффузии
Е. Л. Латуш, О. О. Пруцаков, Г. Д. Чеботарев Ростовский государственный университет, физический факультет
Аннотация:
Математически смоделирована ускоренная амбиполярная диффузия частиц в послесвечении разрядов в смесях He–Cu и Ne–Cu. Расчеты показали, что при давлениях буферного газа 8 – 10 Тор и диаметрах трубки 4 – 10 мм при наложении на послесвечение греющего поля E ≈ 0.3 – 1.3 В/см за время ~100 мкс концентрация электронов уменьшается в 102–104 по сравнению с таковой в отсутствие греющего поля. Показано, что этот эффект наиболее выражен в гелии. Согласно расчетам, применение ускоренной амбиполярной диффузии в межимпульсный период позволит на 20 – 50% увеличить частоту следования импульсов в лазере на парах меди в трубках небольшого диаметра (4 – 6 мм) и при малых давлениях буферного газа (6 – 8 Тор). Создание избыточной предымпульсной концентрации метастабилей меди может быть предотвращено прерыванием подогрева плазмы за 3 – 6 мкс до начала следующего импульса возбуждения.
Поступила в редакцию: 08.11.2001
Образец цитирования:
Е. Л. Латуш, О. О. Пруцаков, Г. Д. Чеботарев, “Деионизация плазмы послесвечения за счет ускоренной амбиполярной диффузии”, Квантовая электроника, 32:4 (2002), 289–293 [Quantum Electron., 32:4 (2002), 289–293]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2185 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i4/p289
|
|