Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 4, страницы 285–288 (Mi qe2184)  

Активные среды

О безынверсном усилении излучения ионами, обладающими определенными скоростями, в магнитном поле

А. И. Пархоменко

Институт автоматики и электрометрии СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: Показано, что в газе ионизованных частиц при наложении внешнего магнитного поля может возникать безынверсное усиление излучения ионами, обладающими определенными скоростями, вследствие их ларморовского вращения. При этом бóльшая часть ионов может находиться в основном состоянии. Интегральный коэффициент поглощения остается положительным за счет роста поглощения излучения другой половиной ионов.
Поступила в редакцию: 22.10.2001
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, Volume 32, Issue 4, Pages 285–288
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2002v032n04ABEH002184
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 52.25.Jm, 52.25.Os, 51.60.+a


Образец цитирования: А. И. Пархоменко, “О безынверсном усилении излучения ионами, обладающими определенными скоростями, в магнитном поле”, Квантовая электроника, 32:4 (2002), 285–288 [Quantum Electron., 32:4 (2002), 285–288]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2184
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i4/p285
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024