Влияние усиленной люминесценции на порог генерации длинноволновых инжекционных лазеров

На основе решений уравнений переноса излучения исследовано влияние усиленной люминесценции на порог генерации длинноволновых инжекционных InGaAsP/InP-лазеров с массивным и квантоворазмерным активными слоями, излучающих в диапазоне 1.3–1.55 мкм. Установлено, что усиленная люминесценция, захватываемая в резонаторе лазера с полосковым контактом, может приводить к росту пороговой плотности тока в два и более раз. Показано, что влияние усиленной люминесценции на температурную зависимость порогового тока сильнее всего проявляется в лазерах с большей длиной волны генерации, а при прочих равных условиях – в лазерах с квантоворазмерным активным слоем.