Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 1994, том 21, номер 11, страницы 1008–1016 (Mi qe217)  

Лазеры и усилители

Влияние косых скачков уплотнения и внутрирезонаторных поглощающих зон на характеристики излучения СO2-ГДЛ с широкоапертурным неустойчивым резонатором

В. Н. Меркушенков, В. И. Чесноков

Троицкий институт инновационных и термоядерных исследований
Аннотация: В трехмерном случае численно решена задача о распределении комплексной амплитуды электромагнитного поля в объеме активного широкоапертурного неустойчивого резонатора СO2-ГДЛ с большими числами Френеля NF ~200. В основу численного интегрирования параксиального волнового уравнения положен метод приближенного вычисления двумерного интеграла Кирхгофа по специально разработанным квадратурным формулам повышенного порядка точности. Разработанный численный метод использован для теоретических исследований влияния косых скачков уплотнения в активной среде и поглощающих внутрирезонаторных зон на характеристики выходного излучения СО2-ГДЛ. Для описания кинетики колебательной релаксации применялась достаточно полная трехтемпературная модель совместно с уравнениями неравновесной газовой динамики в струйном приближении.
Поступила в редакцию: 14.02.1994
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 1994, Volume 24, Issue 11, Pages 936–944
DOI: https://doi.org/10.1070/QE1994v024n11ABEH000217
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt, 42.60.Da


Образец цитирования: В. Н. Меркушенков, В. И. Чесноков, “Влияние косых скачков уплотнения и внутрирезонаторных поглощающих зон на характеристики излучения СO2-ГДЛ с широкоапертурным неустойчивым резонатором”, Квантовая электроника, 21:11 (1994), 1008–1016 [Quantum Electron., 24:11 (1994), 936–944]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe217
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v21/i11/p1008
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:124
    PDF полного текста:80
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024