Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 3, страницы 225–228 (Mi qe2167)  

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Специальный выпуск, посвященный 40-летию НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха

Внерезонаторная параметрическая генерация света на λ = 1.5 и 2 мкм с накачкой излучением лазеров на АИГ:Nd3+

В. Л. Наумовa, А. М. Онищенкоa, А. С. Подставкинb, А. В. Шестаковa

a ФГУП «НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха», г. Москва
b ООО Научно-производственный центр "ЭЛС", г. Москва
Аннотация: Исследованы генерационные характеристики внерезонаторных параметрических генераторов света (ПГС) на кристаллах КТР с длинами волн излучения 1.57 и 2.14 (2.19) мкм при накачке излучением многомодовых лазеров на АИГ:Nd3+ с длинами волн 1.064 и 1.32 (1.34) мкм соответственно. Проведено сравнение порогов, эффективности преобразования и расходимости выходного излучения для линейной и кольцевой схем ПГС с λs = 1.57 мкм. Показано, что в трехзеркальном кольцевом ПГС реализуются низкие пороги, высокая (до 40%) эффективность преобразования и низкая (не более 3.5 мрад) расходимость выходного излучения при десятикратном превышении энергии накачки над пороговой. В трехзеркальном кольцевом ПГС получена параметрическая генерация на длине волны λs = 2.14 и 2.19 мкм при накачке излучением лазера на АИГ:Nd3+ с длиной волны 1.32 и 1.34 мкм соответственно и параметрами, представляющими практический интерес. Создана малогабаритная конструкция эффективного кольцевого параметрического преобразователя излучения лазеров на АИГ:Nd3+ в излучение диапазона 1.5–2 мкм.
Поступила в редакцию: 30.01.2002
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, Volume 32, Issue 3, Pages 225–228
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2002v032n03ABEH002167
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.65.Yj, 42.60.Jf, 42.60.Lh


Образец цитирования: В. Л. Наумов, А. М. Онищенко, А. С. Подставкин, А. В. Шестаков, “Внерезонаторная параметрическая генерация света на λ = 1.5 и 2 мкм с накачкой излучением лазеров на АИГ:Nd3+”, Квантовая электроника, 32:3 (2002), 225–228 [Quantum Electron., 32:3 (2002), 225–228]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2167
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i3/p225
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024