Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов

Методом МОС-гидридной эпитаксии изготовлены лазерные гетероструктуры с активной областью, состоящей из двух напряженных InGaAs квантовых ям. Из указанных гетероструктур изготовлены одномодовые лазерные диоды с шириной полоскового контакта 3–4 мкм и изучены их спектральные характеристики. Установлено, что спектр диодов состоит из двух групп продольных мод, наличие которых вызывает уширение спектра. Распределение мощности излучения между этими группами мод носит динамический характер и зависит от тока накачки и температуры активной области. Высказано предположение, что такой характер спектра диодов связан с асимметрией состава их активной области, возникающей вследствие сегрегации индия из-за сложного механизма его вхождения в твердый раствор в процессе эпитаксиального роста. Данное предположение было подтверждено исследованием активной области с помощью модифицированного метода оже-спектроскопии.