Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2002, том 32, номер 1, страницы 33–38 (Mi qe2122)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Нелинейно-оптические явления

Двойной резонанс на неоднородно-уширенных переходах в схеме с общим верхним уровнем при формировании в канале накачки импульсов самоиндуцированной прозрачности

А. Л. Вершинин, А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков, А. Л. Писной

Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю. А.
Аннотация: Теоретически исследован нестационарный двойной резонанс, возбуждаемый по схеме с общим верхним уровнем, в среде, спектральная неоднородность которой обусловлена эффектом Доплера. Рассмотрены случаи, когда в канале накачки формируются 0π-, 2π- и 4π-импульсы. Исследование динамики формирования импульсов показало, в частности, что экспоненциальное усиление сигнального импульса возможно при наличии в канале накачки хотя бы одного 2π-импульса. При наличии в канале накачки двух и более 2π-импульсов каждый импульс накачки порождает свой сигнальный импульс, характеристики которого определяются параметрами импульса накачки.
Поступила в редакцию: 20.06.2001
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2002, Volume 32, Issue 1, Pages 33–38
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2002v032n01ABEH002122
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.50.Md, 42.65.Tg


Образец цитирования: А. Л. Вершинин, А. Е. Дмитриев, О. М. Паршков, А. Л. Писной, “Двойной резонанс на неоднородно-уширенных переходах в схеме с общим верхним уровнем при формировании в канале накачки импульсов самоиндуцированной прозрачности”, Квантовая электроника, 32:1 (2002), 33–38 [Quantum Electron., 32:1 (2002), 33–38]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2122
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v32/i1/p33
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:137
    PDF полного текста:90
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024