Лучевая стойкость нелинейных кристаллов на длине волны 9.55 мкм

Представлены результаты измерения лучевой стойкости рабочих поверхностей двенадцати нелинейных кристаллов. Среди них известные нелинейные кристаллы среднего ИК диапазона CdGeAs₂, ZnGeP₂, AgGaSe₂, GaSe, AgGaS₂ и Ag₃AsS₃, не исследованные ранее новые смешанные кристаллы AgGaGeS₄ и Cd_0.35Hg_0.65Ga₂S₄, две фазы (оранжевая и желтая) кристалла HgGa₂S₄, а также легированный кристалл GaSe:In. Смешанные кристаллы и две фазы кристалла HgGa₂S₄ прозрачны в диапазоне от 0.4 – 0.5 до 11.5 – 14.5 мкм. Измерения впервые проведены с использованием импульсного одномодового высокостабильного ТЕА СО₂-лазера с длительностью импульсов излучения ~30 нс. Установлено, что лучевая стойкость новых нелинейных кристаллов AgGaGeS₄, Cd_0.35Hg_0.65Ga₂S₄ и кристаллов HgGa₂S₄ (оранжевая и желтая фазы) в 1.5 – 2.2 раза выше, чем у известных кристаллов среднего ИК диапазона.