Стабилизация частоты излучения полупроводникового лазера модой шепчущей галереи

Рассмотрена модель стабилизации частоты лазера, учитывающая спектральное расщепление моды и зависимость ее добротности от связи с лазером. Показано, что режим стабилизации оптимален, когда коэффициент связи с модой шепчущей галереи больше критического, при котором мода расщепляется. Наличие амплитудно-фазовой корреляции в активной области лазера определяет максимальное значение параметра стабилизации из-за динамического ограничения уровня обратной связи. При большем уровне связи нарушается одночастотность генерации. Показано, что надлежащий выбор фазы обратной связи подавляет динамическую нестабильность, что в принципе позволяет реализовать сильную связь с высокодобротным внешним резонатором.