|
Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 9, страницы 799–800
(Mi qe2047)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Активные среды. Лазеры
Люминесценция Nd-содержащих эпитаксиальных монокристаллических пленок гранатов, выращенных на подложках Gd3Ga5O12
В. В. Рандошкинa, М. И. Беловоловb, Н. В. Васильеваa, К. А. Зыков-Мызинb, А. М. Салецкийc, Н. Н. Сысоевc, А. Н. Чуркинc a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация:
На подложках Gd3Ga5O12 с ориентацией (111) методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на основе PbO–B2O3 выращена серия эпитаксиальных пленок, в которых атомная концентрация неодима варьируется в диапазоне 1–15%. Измерены спектры поглощения и люминесценции при полупроводниковой диодной накачке, а также время жизни активных ионов. Определена концентрационная зависимость характерного времени люминесценции ионов Nd3+.
Поступила в редакцию: 23.04.2001
Образец цитирования:
В. В. Рандошкин, М. И. Беловолов, Н. В. Васильева, К. А. Зыков-Мызин, А. М. Салецкий, Н. Н. Сысоев, А. Н. Чуркин, “Люминесценция Nd-содержащих эпитаксиальных монокристаллических пленок гранатов, выращенных на подложках Gd3Ga5O12”, Квантовая электроника, 31:9 (2001), 799–800 [Quantum Electron., 31:9 (2001), 799–800]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2047 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v31/i9/p799
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 148 | PDF полного текста: | 76 | Первая страница: | 1 |
|