В. В. Рандошкин, М. И. Беловолов, Н. В. Васильева, К. А. Зыков-Мызин, А. М. Салецкий, Н. Н. Сысоев, А. Н. Чуркин, “Люминесценция Nd-содержащих эпитаксиальных монокристаллических пленок гранатов, выращенных на подложках Gd3Ga5O12”, Квантовая электроника, 31:9 (2001), 799–800 [Quantum Electron., 31:9 (2001), 799

Квантовая электроника

RUS ENG

ЖУРНАЛЫ ПЕРСОНАЛИИ ОРГАНИЗАЦИИ КОНФЕРЕНЦИИ СЕМИНАРЫ ВИДЕОТЕКА ПАКЕТ AMSBIB

JavaScript is disabled in your browser. Please switch it on to enable full functionality of the website

	Общая информация
	Последний выпуск
	Архив
	Импакт-фактор
	Правила для авторов
	Загрузить рукопись

	Поиск публикаций
	Поиск ссылок

	RSS
	Последний выпуск
	Текущие выпуски
	Архивные выпуски
	Что такое RSS

Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
	Найти

Персональный вход:
Логин:
Пароль:
	Запомнить пароль
	Войти
	Забыли пароль?
	Регистрация

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 9, страницы 799–800 (Mi qe2047)

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Активные среды. Лазеры

Люминесценция Nd-содержащих эпитаксиальных монокристаллических пленок гранатов, выращенных на подложках Gd₃Ga₅O₁₂

В. В. Рандошкин^a, М. И. Беловолов^b, Н. В. Васильева^a, К. А. Зыков-Мызин^b, А. М. Салецкий^c, Н. Н. Сысоев^c, А. Н. Чуркин^c

^a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
^b Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
^c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова

PDF полного текста (161 kB) Список цитирования (3)

Аннотация: На подложках Gd₃Ga₅O₁₂ с ориентацией (111) методом жидкофазной эпитаксии из переохлажденного раствора-расплава на основе PbO–B₂O₃ выращена серия эпитаксиальных пленок, в которых атомная концентрация неодима варьируется в диапазоне 1–15%. Измерены спектры поглощения и люминесценции при полупроводниковой диодной накачке, а также время жизни активных ионов. Определена концентрационная зависимость характерного времени люминесценции ионов Nd³⁺.

Поступила в редакцию: 23.04.2001

Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2001, Volume 31, Issue 9, Pages 799–800
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2001v031n09ABEH002047

Реферативные базы данных:

Тип публикации: Статья

PACS: 32.50.Jr, 32.50.+d, 78.66.Nk

Образец цитирования: В. В. Рандошкин, М. И. Беловолов, Н. В. Васильева, К. А. Зыков-Мызин, А. М. Салецкий, Н. Н. Сысоев, А. Н. Чуркин, “Люминесценция Nd-содержащих эпитаксиальных монокристаллических пленок гранатов, выращенных на подложках Gd₃Ga₅O₁₂”, Квантовая электроника, 31:9 (2001), 799–800 [Quantum Electron., 31:9 (2001), 799–800]

Образцы ссылок на эту страницу:

https://www.mathnet.ru/rus/qe2047

https://www.mathnet.ru/rus/qe/v31/i9/p799

Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:

Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles

Статистика просмотров:
Страница аннотации:	153
PDF полного текста:	80
Первая страница:	1

Что такое QR-код?

Обратная связь:

Пользовательское соглашение

Регистрация посетителей портала

Логотипы