Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 8, страницы 661–677 (Mi qe2025)  

Эта публикация цитируется в 29 научных статьях (всего в 29 статьях)

Обзор

Основные тенденции развития твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой

Н. В. Кравцов

НИИ ядерной физики им. Д. В. Скобельцына, МГУ им. М. В. Ломоносова
Аннотация: Рассмотрены твердотельные лазеры нового поколения – твердотельные лазеры с полупроводниковой накачкой (ТЛПН). Проанализированы перспективы их дальнейшего развития. Показано, что ТЛПН практически по всем параметрам превосходят традиционные лазеры с ламповой накачкой.
Поступила в редакцию: 14.03.2001
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2001, Volume 31, Issue 8, Pages 661–677
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2001v031n08ABEH002025
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.55.Xi, 42.60.Lh


Образец цитирования: Н. В. Кравцов, “Основные тенденции развития твердотельных лазеров с полупроводниковой накачкой”, Квантовая электроника, 31:8 (2001), 661–677 [Quantum Electron., 31:8 (2001), 661–677]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2025
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v31/i8/p661
  • Эта публикация цитируется в следующих 29 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024