Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 7, страницы 629–633 (Mi qe2017)  

Эта публикация цитируется в 19 научных статьях (всего в 19 статьях)

Лазеры. Активные среды

Ион-ионная рекомбинация в SF6 и смесях SF6–C2H6 при высоких значениях E/N

В. В. Аполлоновa, А. А. Белевцевb, С. Ю. Казанцевa, А. В. Сайфулинa, К. Н. Фирсовa

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Институт теплофизики экстремальных состояний Объединенного института высоких температур РАН, г. Москва
Аннотация: Измерены коэффициенты ион-ионной рекомбинации в распадающейся плазме SF6 и смесей SF6–C2H6 в диапазоне давлений 15–90 мм рт. ст. при приведенных напряженностях поля 100–250 Tд. Проанализирован зарядовый состав и определены доминирующие каналы ион-ионной рекомбинации в таких плазмах. Получены соотношения для оценки приэлектродных падений потенциала в условиях распадающейся плазмы в сильно электроотрицательных газах. Путем экстраполяции результатов измерений оценивается коэффициент ион-ионной рекомбинации в SF6 при напряженностях поля, близких к критической. Сделан вывод о необходимости учета ион-ионной рекомбинации при расчете характеристик разряда в нецепных HF-лазерах.
Поступила в редакцию: 12.03.2001
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2001, Volume 31, Issue 7, Pages 629–633
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2001v031n07ABEH002017
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Ks, 52.27.Jt


Образец цитирования: В. В. Аполлонов, А. А. Белевцев, С. Ю. Казанцев, А. В. Сайфулин, К. Н. Фирсов, “Ион-ионная рекомбинация в SF6 и смесях SF6–C2H6 при высоких значениях E/N”, Квантовая электроника, 31:7 (2001), 629–633 [Quantum Electron., 31:7 (2001), 629–633]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2017
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v31/i7/p629
  • Эта публикация цитируется в следующих 19 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:160
    PDF полного текста:144
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024