|
Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 7, страницы 565–566
(Mi qe2004)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Письма
Структурные переходы в GaAs в течение лазерного импульса длительностью 100 фс
С. И. Кудряшов, В. И. Емельянов Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация:
Впервые экспериментально показано, что накачка образца GaAs лазерным импульсом длительностью 100 фс приводит в течение импульса к плазменно-индуцированному схлопыванию запрещенной зоны и "холодному" плавлению материала.
Поступила в редакцию: 20.03.2001
Образец цитирования:
С. И. Кудряшов, В. И. Емельянов, “Структурные переходы в GaAs в течение лазерного импульса длительностью 100 фс”, Квантовая электроника, 31:7 (2001), 565–566 [Quantum Electron., 31:7 (2001), 565–566]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe2004 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v31/i7/p565
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 177 | PDF полного текста: | 73 | Первая страница: | 1 |
|