Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 6, страницы 525–528 (Mi qe1993)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Лазеры. Активные среды

О влиянии температуры на создание инверсии населенностей в активных средах электроразрядных СО2-лазеров

В. В. Невдах

Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
PDF полного текста (177 kB) Список цитирования (3)
Аннотация: Показано, что инверсия населенностей на переходе 0001–1000 в активной среде электроразрядного CO2-лазера может быть получена даже при увеличении ее температуры до ~1200 K. При сохранении устойчивости разряда и повышении селективности накачки верхнего уровня возможно создание электроразрядных CO2-лазеров без водяного охлаждения.
Поступила в редакцию: 23.08.2000
Исправленный вариант: 25.02.2001
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2001, Volume 31, Issue 6, Pages 525–528
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2001v031n06ABEH001993
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Lt


Образец цитирования: В. В. Невдах, “О влиянии температуры на создание инверсии населенностей в активных средах электроразрядных СО2-лазеров”, Квантовая электроника, 31:6 (2001), 525–528 [Quantum Electron., 31:6 (2001), 525–528]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1993
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v31/i6/p525
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025