Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 4, страницы 373–376 (Mi qe1955)  

Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники

Температурная зависимость ударного уширения линии 2P1/22P3/2 атомарного иода

М. В. Загидуллин, В. Д. Николаев, М. И. Свистун, Н. А. Хватов

Самарский филиал Физического института им. П. Н. Лебедева РАН
Аннотация: Методом диодной лазерной спектроскопии высокого разрешения определена температурная зависимость ударного уширения спектра линии перехода 2P1/22P3/2 атомарного иода в диапазоне 220 – 347 К. Показано, что ударная ширина в кислородно-азотной среде зависит от температуры как (300 K/T)γ, где γ = 0.87 ± 0.13.
Поступила в редакцию: 06.12.2000
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2001, Volume 31, Issue 4, Pages 373–376
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2001v031n04ABEH001955
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 32.70.Jz, 42.62.Fi


Образец цитирования: М. В. Загидуллин, В. Д. Николаев, М. И. Свистун, Н. А. Хватов, “Температурная зависимость ударного уширения линии 2P1/22P3/2 атомарного иода”, Квантовая электроника, 31:4 (2001), 373–376 [Quantum Electron., 31:4 (2001), 373–376]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1955
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v31/i4/p373
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024