|
Квантовая электроника, 2001, том 31, номер 4, страницы 357–362
(Mi qe1951)
|
|
|
|
Применения лазеров и другие вопросы квантовой электроники
Усиление обратного рассеяния лазерного излучения в среде с флуктуациями мнимой части диэлектрической проницаемости
Р. Х. Алмаевa, А. А. Суворовb a Институт экспериментальной метеорологии, г. Обнинск, Калужская обл.
b ГНЦ РФ – Физико-энергетический институт, г. Обнинск, Калужская обл.
Аннотация:
Рассмотрен эффект усиления обратного рассеяния по отношению к интенсивности отражeнного от обычного зеркала лазерного излучения при распространении его в среде с флуктуациями как действительной (показателя преломления), так и мнимой (коэффициента ослабления или усиления) составляющих диэлектрической проницаемости. Получены формулы для коэффициента усиления интенсивности обратного рассеяния и дисперсии флуктуаций интенсивности отражeнной волны, распространяющейся в случайно-неоднородной диссипативной (усиливающей) среде. Для области насыщения флуктуаций интенсивности излучения получены асимптотические выражения, учитывающие влияние флуктуаций показателей преломления и поглощения (усиления), а также их корреляций. Проанализирован вклад флуктуаций составляющих комплексной диэлектрической проницаемости и характерных пространственных масштабов задачи в коэффициент усиления интенсивности обратного рассеяния. Показано, что при некоррелированных флуктуациях действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости случайной среды коэффициент усиления интенсивности обратного рассеяния в области сильных флуктуаций больше, чем в прозрачной случайной среде. Получено также, что корреляция пульсаций действительной и мнимой составляющих диэлектрической проницаемости приводит к уменьшению эффекта усиления обратного рассеяния в поглощающей среде и к увеличению этого эффекта для усиливающей среды.
Поступила в редакцию: 21.06.2000 Исправленный вариант: 26.12.2000
Образец цитирования:
Р. Х. Алмаев, А. А. Суворов, “Усиление обратного рассеяния лазерного излучения в среде с флуктуациями мнимой части диэлектрической проницаемости”, Квантовая электроника, 31:4 (2001), 357–362 [Quantum Electron., 31:4 (2001), 357–362]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe1951 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v31/i4/p357
|
|