Нелинейное взаимодействие УКИ света с тонкой пленкой полупроводника в условиях двухфотонной экситон-биэкситонной конверсии

Изучены закономерности пропускания УКИ резонансного лазерного излучения тонкой пленкой полупроводника при учете двухфотонного превращения экситонов в биэкситоны. Показано, что УКИ при пропускании преобразуются в еще более короткие уединенные импульсы либо в цуг импульсов, длительность которых в значительной степени определяется параметрами нелинейной среды.