Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2000, том 30, номер 11, страницы 991–996 (Mi qe1850)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Нелинейно-оптические явления

Особенности самовоздействия мощного лазерного излучения при распространении в полностью ионизированной холодной плазме и развитие модуляционной неустойчивости

В. А. Алешкевич, В. А. Выслоух, Я. В. Карташов

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация: С помощью аналитических и численных методов, широко применяющихся в нелинейной оптике, рассмотрены особенности распространения солитоноподобных световых пучков в полностью ионизированной двумерной холодной лазерной плазме. В условиях оптической бистабильности численно найдены точные солитонные профили для нижней и верхней солитонных ветвей. Показано, что в подобной плазменной среде взаимодействие некогерентных солитоноподобных лазерных пучков может приводить как к уничтожению одного из пучков, так и к рождению новых. Исследован развитый режим модуляционной неустойчивости плоской волны, распространяющейся в холодной лазерной плазме.
Поступила в редакцию: 31.03.2000
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2000, Volume 30, Issue 11, Pages 991–996
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2000v030n11ABEH001850
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 52.40.Nk, 42.65.Sf, 42.65.Tg


Образец цитирования: В. А. Алешкевич, В. А. Выслоух, Я. В. Карташов, “Особенности самовоздействия мощного лазерного излучения при распространении в полностью ионизированной холодной плазме и развитие модуляционной неустойчивости”, Квантовая электроника, 30:11 (2000), 991–996 [Quantum Electron., 30:11 (2000), 991–996]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe1850
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v30/i11/p991
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025