Мощный импульсный полупроводниковый дисковый лазер на основе гетероструктуры InGaP/AlGaInP с накачкой в квантовые ямы

Исследован полупроводниковый дисковый лазер (ПДЛ) на основе гетероструктуры InGaP/AlGaInP, излучающей на длине волны вблизи 640 нм, при внутриямной накачке импульсным лазером на красителе родамин 6G с длиной волны излучения 601 нм. Использовались структуры с 25 квантовыми ямами, расставленными по глубине с периодом 193 нм. На структуре с встроенным брэгговским зеркалом достигнута мощность 3.5 Вт на длине волны 642 нм при дифференциальном КПД 7% по вложенной мощности накачки. Достигнутая мощность второй гармоники на длине волны 321 нм составила примерно 30% от достигнутой мощности ПДЛ на основной частоте. При накачке выше 250 Вт структура разрушалась из-за сильного адиабатического нагрева ростовой подложки GaAs. На структуре с нанесенным широкополосным диэлектрическим зеркалом удалось уменьшить фактор адиабатического нагрева, организовать двухпроходную накачку и соответственно повысить вложенную мощность накачки. Это позволило достигнуть импульсной мощности более 70 Вт на длине волны 645.5 нм с дифференциальным КПД свыше 17%.