Разработка и исследование мощных лазерных диодов спектрального диапазона 960 – 980 нм на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs

В рамках разработки мощных многомодовых лазерных диодов спектрального диапазона 960 – 980 нм проведена оптимизация гетероструктуры и мезаполосковой конструкции чипа лазерного диода с целью повышения выходной мощности излучения и КПД. Исследовано влияние увеличения энергетической глубины квантовой ямы, легирования волноводных слоев и уменьшения толщины p-эмиттера на выходные характеристики лазерных диодов. В конструкцию чипа внедрены технические решения, позволившие минимизировать тепловую нагрузку на зеркала резонатора. Проведенная оптимизация позволила повысить рабочую выходную мощность излучения лазерных диодов до 11.6 Вт при токе 12 А, максимальный КПД при этом составил 63%.