|
Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 5, страницы 401–405
(Mi qe18291)
|
|
|
|
Активные среды
Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами
Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Теоретически изучен кремний, легированный нейтральными гелиеподобными донорами магния, в качестве активной среды в терагерцевом диапазоне частот. Инверсионный механизм, реализующийся в Si:Mg, при оптическом возбуждении не обладает необходимой эффективностью ввиду наличия быстрых релаксационных процессов. Напротив, механизм вынужденного комбинационного рассеяния обладает меньшей чувствительностью к временам релаксации и позволяет получать перестройку спектра генерации. Важной особенностью двухзарядных доноров оказывается наличие двух стоксовых сдвигов в системе, что позволяет существенно расширить диапазон излучаемых частот. Расчеты показали, что комбинированное использование одноосной деформации кристалла и перестройки энергии кванта возбуждения в диапазоне 95 – 105 мэВ (23 – 25.5 ТГц) позволит получить ВКР в полосе частот 7 – 33 мэВ
(∼1.5 – 8 ТГц).
Ключевые слова:
вынужденное комбинационное рассеяние, сечение усиления, кремний, двухзарядные доноры.
Поступила в редакцию: 01.02.2022 Исправленный вариант: 01.02.2023
Образец цитирования:
Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами”, Квантовая электроника, 53:5 (2023), 401–405 [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S1015–S1021]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe18291 https://www.mathnet.ru/rus/qe/v53/i5/p401
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 37 | Список литературы: | 11 | Первая страница: | 3 |
|