Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2023, том 53, номер 5, страницы 401–405 (Mi qe18291)  

Активные среды

Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами

Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Список литературы:
Аннотация: Теоретически изучен кремний, легированный нейтральными гелиеподобными донорами магния, в качестве активной среды в терагерцевом диапазоне частот. Инверсионный механизм, реализующийся в Si:Mg, при оптическом возбуждении не обладает необходимой эффективностью ввиду наличия быстрых релаксационных процессов. Напротив, механизм вынужденного комбинационного рассеяния обладает меньшей чувствительностью к временам релаксации и позволяет получать перестройку спектра генерации. Важной особенностью двухзарядных доноров оказывается наличие двух стоксовых сдвигов в системе, что позволяет существенно расширить диапазон излучаемых частот. Расчеты показали, что комбинированное использование одноосной деформации кристалла и перестройки энергии кванта возбуждения в диапазоне 95 – 105 мэВ (23 – 25.5 ТГц) позволит получить ВКР в полосе частот 7 – 33 мэВ (∼1.5 – 8 ТГц).
Ключевые слова: вынужденное комбинационное рассеяние, сечение усиления, кремний, двухзарядные доноры.
Поступила в редакцию: 01.02.2022
Исправленный вариант: 01.02.2023
Англоязычная версия:
Bull. Lebedev Physics Institute, 2023, Volume 50, Issue suppl. 9, Pages S1015–S1021
DOI: https://doi.org/10.3103/S1068335623210121
Тип публикации: Статья


Образец цитирования: Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, В. Н. Шастин, “Механизм вынужденного комбинационного рассеяния света в кремнии, легированном гелиеподобными донорами”, Квантовая электроника, 53:5 (2023), 401–405 [Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 9 (2023), S1015–S1021]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe18291
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v53/i5/p401
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    Список литературы:11
    Первая страница:3
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024